SIA911DJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA911DJ-T1-GE3概述

MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 4.5A 6.5W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

贸泽:
MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

SIA911DJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -4.50 A

输入电容Ciss 355pF @10VVds

额定功率Max 6.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

高度 0.75 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA911DJ-T1-GE3

型号： SIA911DJ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

立即咨询

替代型号SIA911DJ-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIA911DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SIA911DJ-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SIA911DJ-T1-GE3和SIA911DJ-T1-E3的区别
SIA911ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SIA911DJ-T1-GE3和SIA911ADJ-T1-GE3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SIA911DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

SIA911DJ-T1-E3

Vishay Siliconix

完全替代

SIA911DJ-T1-GE3和SIA911DJ-T1-E3的区别

SIA911ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

类似代替

SIA911DJ-T1-GE3和SIA911ADJ-T1-GE3的区别