SMMB911DK-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMMB911DK-T1-GE3概述

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 2.6A 3.1W 表面贴装型 PowerPAK® SC-75-6L 双

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L

SMMB911DK-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 3.10 W

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 115pF @10VVds

额定功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-75-6L

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.75 mm

封装 SC-75-6L

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMMB911DK-T1-GE3

型号： SMMB911DK-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L

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