MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 2.9A，2.1A 1.1W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™
得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
漏源极电阻 85 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.10 A
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
封装 SMD-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI5504DC-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI5504BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix | 完全替代 | SI5504DC-T1-E3和SI5504BDC-T1-GE3的区别 |
SI5504DC-T1-GE3 Vishay Siliconix | 完全替代 | SI5504DC-T1-E3和SI5504DC-T1-GE3的区别 |
SI5504DC Vishay Siliconix | 功能相似 | SI5504DC-T1-E3和SI5504DC的区别 |