MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -2.70 A
热阻 0.11℃/W RθJA
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
长度 3.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SMD-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI5933DC-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI5933DC-T1-E3和SI5933CDC-T1-GE3的区别 |