SI7958DP-T1-E3

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SI7958DP-T1-E3概述

MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual


得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7288DP-T1-GE3


DeviceMart:
MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC


SI7958DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 40 V

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7958DP-T1-E3
型号: SI7958DP-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC
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SI7958DP-T1-E3和SI7958DP-T1-GE3的区别

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