MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1553CDL-T1-GE3
Allied Electronics:
MOSFET, Dual, Complementary, 20V, 0.3/0.44A, SOT-363
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
漏源极电阻 1.9 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 270 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 ±20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
热阻 400℃/W RθJA
额定功率Max 270 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2.2 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI1551DL-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI1553DL-T1-E3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI1551DL-T1-E3和SI1553DL-T1-E3的区别 |
SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI1551DL-T1-E3和SI1553CDL-T1-GE3的区别 |