SI1024X-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1024X-T1-E3概述

MOSFET 2N-CH 20V 485mA SOT563F

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 485mA 250mW 表面贴装型 SC-89-6

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1024X-T1-E3

型号： SI1024X-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 20V 485mA SOT563F

替代型号SI1024X-T1-E3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI1024X-T1-E3

Vishay Siliconix

当前型号

SI1024X-T1-GE3

Vishay Siliconix

完全替代

BGS18MA12E6327XTSA1

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