STGW30M65DF2

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STGW30M65DF2概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247


得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE


立创商城:
STGW30M65DF2


贸泽:
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


STGW30M65DF2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 258 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 140 ns

额定功率Max 258 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 258000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW30M65DF2
型号: STGW30M65DF2
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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