SPD09P06PLG参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPD09P06PLG概述

60V,-9.7A,P沟道功率MOSFET

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）

· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

力源芯城:
-60V,-9.7A,P沟道功率MOSFET

Win Source:
SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode

SPD09P06PLG中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号： SPD09P06PLG

描述：60V,-9.7A,P沟道功率MOSFET

替代型号SPD09P06PLG