SSM6J07FU

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SSM6J07FU概述

SSM6J07FU P沟道MOS场效应管 -30V -0.8A 0.35ohm SOT-363 marking/标记 KDF 电源管理开关 高速开关 低导通电阻

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -800mA/-0.8A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.35Ω @-400mA,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1.1--1.9V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Ron = 450 mΩ max VGS = −10 V Ron = 800 mΩ max VGS = −4 V 描述与应用| 电源管理开关 高速开关应用 小型封装 低导通电阻 RON =450MΩ(最大值(VGS= -10 V) 罗恩=800MΩ(最大)(VGS=-4 V)

SSM6J07FU中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -30V

最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage 20V

最大漏极电流IdDrain Current -800mA/-0.8A

源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 0.35Ω @-400mA,-10V

开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage -1.1--1.9V

耗散功率PdPower Dissipation 300mW/0.3W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SSM6J07FU
制造商: Toshiba 东芝
描述:SSM6J07FU P沟道MOS场效应管 -30V -0.8A 0.35ohm SOT-363 marking/标记 KDF 电源管理开关 高速开关 低导通电阻

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