SCT50N120

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SCT50N120概述

N-沟道 1200 V 59 mΩ 122 nC 碳化硅 功率 Mosfet - HiP247

通孔 N 通道 65A(Tc) 318W(Tc) HiP247™


欧时:
SCT50N120, MOSFET


得捷:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 3-Pin3+Tab HIP-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 50A; 318W; HIP247™


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 3-Pin3+Tab HIP-247 Tube


SCT50N120中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.052 Ω

耗散功率 318 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 1200 V

输入电容Ciss 1900pF @400VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 318000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SCT50N120
型号: SCT50N120
描述:N-沟道 1200 V 59 mΩ 122 nC 碳化硅 功率 Mosfet - HiP247

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