SSM3K123TU

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SSM3K123TU概述

SSM3K123TU n沟道场效应管 20V 4.2A SOT323 代码 KKD 开关电源管理

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | ±10V 最大漏极电流Id Drain Current | 4.2A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | Ron = 66 mΩ max @VGS = 1.5 V Ron = 43 mΩ max @VGS = 1.8 V Ron = 32 mΩ max @VGS = 2.5 V Ron = 28 mΩ max @VGS = 4.0 V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage | 0.35~1V 耗散功率Pd Power dissipation | 0.8W 描述与应用 Description & Applications |  开关电源管理应用程序   高速开关应用   1.5 V驱动   低导通电阻


SSM3K123TU中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.2A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SSM3K123TU
型号: SSM3K123TU
制造商: Toshiba 东芝
描述:SSM3K123TU n沟道场效应管 20V 4.2A SOT323 代码 KKD 开关电源管理

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