SI3483DV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI3483DV-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

表面贴装型 P 通道 30 V 4.7A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP

得捷:
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6TSOP

SI3483DV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.14W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.14W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3483DV-T1-GE3

型号： SI3483DV-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

替代型号SI3483DV-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI3483DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI3481DV-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI3483DV-T1-GE3和SI3481DV-T1-E3的区别
SI3483DV-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI3483DV-T1-GE3和SI3483DV-T1-E3的区别
SI3483CDV-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI3483DV-T1-GE3和SI3483CDV-T1-E3的区别