STP5N60

STP5N60图片1
STP5N60中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 165pF @100VVds

额定功率Max 45 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STP5N60
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N沟道增强型功率MOS晶体管 N-Channel enhancement mode power mos transistor

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