SI6473DQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6473DQ-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

P-Channel 20V 6.2A Ta 1.08W Ta Surface Mount 8-TSSOP

得捷:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

SI6473DQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.08W Ta

漏源极电压Vds 20 V

耗散功率Max 1.08W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6473DQ-T1-GE3

型号： SI6473DQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

替代型号SI6473DQ-T1-GE3