SI4438DY-T1-GE3

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SI4438DY-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

表面贴装型 N 通道 30 V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 36A 8SO


SI4438DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.5W Ta, 7.8W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 4645pF @15VVds

耗散功率Max 3.5W Ta, 7.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4438DY-T1-GE3
型号: SI4438DY-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

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