SI2311DS-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI2311DS-T1-E3概述

MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

表面贴装型 P 通道 3A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3

得捷:
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23-3

SI2311DS-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 45.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 710mW Ta

漏源极电压Vds 8 V

连续漏极电流Ids -3.00 A

输入电容Ciss 970pF @4VVds

耗散功率Max 710mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2311DS-T1-E3

型号： SI2311DS-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

替代型号SI2311DS-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI2311DS-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI2311DS-T1-E3和SI2305CDS-T1-GE3的区别
BSS138-7-F 美台	功能相似	SI2311DS-T1-E3和BSS138-7-F的区别
BSS123TA 美台	功能相似	SI2311DS-T1-E3和BSS123TA的区别