SI1426DH-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI1426DH-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6

表面贴装型 N 通道 30 V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6

得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1416EDH-T1-GE3

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6

SI1426DH-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1426DH-T1-GE3

型号： SI1426DH-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6

替代型号SI1426DH-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1426DH-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI1426DH-T1-GE3和SI1426DH-T1-E3的区别
SI1410EDH-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1426DH-T1-GE3和SI1410EDH-T1-E3的区别
FDG327NZ 飞兆/仙童	功能相似	SI1426DH-T1-GE3和FDG327NZ的区别