SI5456DU-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5456DU-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

表面贴装型 N 通道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak® ChipFet（3x1.9）

得捷:
MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET

SI5456DU-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 31W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1200pF @10VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPak-8

外形尺寸

封装 PowerPak-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5456DU-T1-GE3

型号： SI5456DU-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

替代型号SI5456DU-T1-GE3