SI4835BDY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4835BDY-T1-E3概述

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC

P-Channel 30V 7.4A Ta 1.5W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4835DDY-E3

SI4835BDY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4835BDY-T1-E3

型号： SI4835BDY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC

替代型号SI4835BDY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4835BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4435BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4835BDY-T1-E3和SI4435BDY-T1-E3的区别
SI4435DDY-T1-E3 Vishay Siliconix	功能相似	SI4835BDY-T1-E3和SI4435DDY-T1-E3的区别
SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI4835BDY-T1-E3和SI4435DDY-T1-GE3的区别