Mosfet n-Ch 500V 20A To-247ad
N-Channel 500V 20A Tc 250mW Tc Through Hole SUPER-247™ TO-274AA
得捷:
MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247
贸泽:
MOSFET N-Channel 500-V
通道数 1
漏源极电阻 0.27 Ω
耗散功率 250 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2942pF @25VVds
下降时间 44 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 250mW Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 16.1 mm
宽度 5.3 mm
高度 20.8 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIHS20N50C-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SIHS20N50C-E3和SIHG20N50C-E3的区别 |
NTE2970 NTE Electronics | 功能相似 | SIHS20N50C-E3和NTE2970的区别 |