SI2307DS-T1-E3

P沟道30-V（D-S）的MOSFET

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.064Ω @-3A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| P-Channel 30-V D-S MOSFET 描述与应用| P沟道30-V（D-S）的MOSFET