SUD50N02-06-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SUD50N02-06-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 9.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50N02-06-E3

型号： SUD50N02-06-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 30A TO252

替代型号SUD50N02-06-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUD50N02-06-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
NTD110N02RT4G 安森美	功能相似	SUD50N02-06-E3和NTD110N02RT4G的区别
STD100NH02LT4 意法半导体	功能相似	SUD50N02-06-E3和STD100NH02LT4的区别
NTD85N02RT4G 安森美	功能相似	SUD50N02-06-E3和NTD85N02RT4G的区别