SUB85N10-10

SUB85N10-10图片1
SUB85N10-10中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 12.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 85.0 A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 6550pF @25VVds

下降时间 130 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SUB85N10-10
型号: SUB85N10-10
制造商: VISHAY 威世
描述:N沟道100 -V (D -S ) 175 MOSFET N-Channel 100-V D-S 175 MOSFET

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