SH8K26GZ0TB

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SH8K26GZ0TB概述

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 40 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 40V 6A(Ta) 2W(Ta) 表面贴装型 8-SOP


立创商城:
2个N沟道 40V 6A


得捷:
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE


贸泽:
MOSFET


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, 表面安装


SH8K26GZ0TB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 280pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SH8K26GZ0TB
型号: SH8K26GZ0TB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 40 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V

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