STGWT20HP65FB

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STGWT20HP65FB概述

单晶体管, IGBT, 40 A, 1.55 V, 168 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-3P


得捷:
IGBT


贸泽:
STMicroelectronics Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed


e络盟:
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.55 V, 168 W, 650 V, TO-247, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 168000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


安富利:
STMSTGWT20HP65FB


STGWT20HP65FB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 168 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 140 ns

额定功率Max 168 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 168000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGWT20HP65FB
型号: STGWT20HP65FB
描述:单晶体管, IGBT, 40 A, 1.55 V, 168 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

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