TLE2082IDR

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TLE2082IDR概述

神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

J-FET 放大器 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLE2082IDR


德州仪器TI:
Dual, 38-V, 10-MHz, 40-V/μs slew rate, JFET-input operational amplifier


贸泽:
运算放大器 - 运放 Dual Hi-Sp JFET-Input Op Amp


艾睿:
OP Amp Dual GP ±19V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP ±19V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Wideband Amplifier ±19V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLE2082IDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 9.4 MHz, 35 V/µs, ± 2.25V to ± 19V, SOIC, 8 Pins


Win Source:
IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC


DeviceMart:
IC OPAMP JFET 10MHZ DUAL 8SOIC


TLE2082IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 3.1 mA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 725 mW

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 2.40 µV/K

带宽 9.4 MHz

转换速率 40.0 V/μs

增益频宽积 10 MHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 20 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 10 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 70 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLE2082IDR引脚图与封装图
TLE2082IDR引脚图
TLE2082IDR封装图
TLE2082IDR封装焊盘图
在线购买TLE2082IDR
型号: TLE2082IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
替代型号TLE2082IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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