TLE2082IDR和TLE2082IDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2082IDR TLE2082IDRG4 OP275GSZ-REEL7

描述 神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS双双极性/ JFET ,音频运算放大器 Dual Bipolar/JFET, Audio Operational Amplifier

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 3.1 mA 3.1 mA 30 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 725 mW -

共模抑制比 70 dB 70 dB 80 dB

输入补偿漂移 2.40 µV/K 2.40 µV/K -

带宽 9.4 MHz 9.40 MHz 9 MHz

转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 22.0 V/μs

增益频宽积 10 MHz 9.4 MHz 9 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 7 mV 1 mV

输入偏置电流 20 pA 175 nA 100 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 80 dB

电源电压(Max) - 38 V 22 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

增益带宽 10 MHz - 9 MHz

针脚数 - - 8

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

军工级 - - No

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