对比图
描述 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt ResistorsDarlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
频率 - - 3 MHz
针脚数 - - 3
耗散功率 80 W 80 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @3A, 4V 1000 @3A, 4V 25 @1A, 4V
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) 20000 1000 10
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 80 W 2 W
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -
额定电流 -8.00 A -8.00 A -
极性 Dual P-Channel, P-Channel PNP -
额定功率 - 2 W -
集电极最大允许电流 - 8A -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 4.83 mm 4.83 mm -
高度 9.4 mm 9.4 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99