TLE2161IDR

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TLE2161IDR概述

JFET 输入(高输出驱动)低功耗解补偿运算放大器 8-SOIC

J-FET 放大器 1 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLE2161IDR


德州仪器TI:
Single, 36-V, 6.5-MHz operational amplifier


艾睿:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Single Wideband Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R


TLE2161IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤80 mA

供电电流 290 µA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 5.80 MHz

转换速率 10.0 V/μs

增益频宽积 5.8 MHz

输入补偿电压 600 µV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 6.4 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLE2161IDR引脚图与封装图
TLE2161IDR引脚图
TLE2161IDR封装图
TLE2161IDR封装焊盘图
在线购买TLE2161IDR
型号: TLE2161IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:JFET 输入(高输出驱动)低功耗解补偿运算放大器 8-SOIC
替代型号TLE2161IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

当前型号

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