TLE2161ID和TLE2161IDR

对比图

型号 TLE2161ID TLE2161IDR TLE2161IDRG4

描述 神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERSJFET 输入（高输出驱动）低功耗解补偿运算放大器 8-SOIC运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA -

供电电流 290 µA 290 µA 290 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 725 mW 0.725 W 725 mW

共模抑制比 72dB ~ 90dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K

带宽 5.80 MHz 5.80 MHz 5.80 MHz

转换速率 10.0 V/μs 10.0 V/μs 10.0 V/μs

增益频宽积 5.8 MHz 5.8 MHz 6.4 MHz

输入补偿电压 600 µV 600 µV 3.1 mV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 6.4 MHz 6.4 MHz -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB -

电源电压(Max) 36 V - -

电源电压(Min) 7 V - -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free