对比图
型号 TLE2161IDR TLE2161IDRG4 TLE2161ID
描述 JFET 输入（高输出驱动）低功耗解补偿运算放大器 8-SOIC运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 290 µA 290 µA 290 µA
电路数 1 1 1
通道数 1 1 1
耗散功率 0.725 W 725 mW 725 mW
共模抑制比 65 dB 65 dB 72dB ~ 90dB
输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K
带宽 5.80 MHz 5.80 MHz 5.80 MHz
转换速率 10.0 V/μs 10.0 V/μs 10.0 V/μs
增益频宽积 5.8 MHz 6.4 MHz 5.8 MHz
输入补偿电压 600 µV 3.1 mV 600 µV
输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
输出电流 ≤80 mA - ≤80 mA
增益带宽 6.4 MHz - 6.4 MHz
耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW
共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB
电源电压(Max) - - 36 V
电源电压(Min) - - 7 V
长度 - 4.9 mm 4.9 mm
宽度 - 3.91 mm 3.91 mm
高度 - 1.58 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free