TC58NYG0S3HBAI6

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TC58NYG0S3HBAI6概述

NAND Flash Serial 1.8V 1G-bit 128M x 8 67Pin VFBGA

**Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity.**


得捷:
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA


艾睿:
NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA


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TC58NYG0S3HBAI6


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NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA


TC58NYG0S3HBAI6中文资料参数规格
技术参数

供电电流 30 mA

位数 8

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 67

封装 VFBGA-67

外形尺寸

高度 0.7 mm

封装 VFBGA-67

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TC58NYG0S3HBAI6
型号: TC58NYG0S3HBAI6
制造商: Toshiba 东芝
描述:NAND Flash Serial 1.8V 1G-bit 128M x 8 67Pin VFBGA

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