TK10V60W,LVQ

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TK10V60W,LVQ概述

Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5Pin DFN

表面贴装型 N 通道 600 V 9.7A(Ta) 88.3W(Tc) 4-DFN-EP(8x8)


得捷:
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5-Pin DFN EP T/R


TK10V60W,LVQ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 83.3 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 700pF @300VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 88.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DFN-5

外形尺寸

封装 DFN-5

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK10V60W,LVQ
型号: TK10V60W,LVQ
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 5Pin DFN

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