TK6Q60W,S1VQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK6Q60W,S1VQ概述

MOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12NC

N-Channel 600V 6.2A Ta 60W Tc Through Hole I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK

TK6Q60W,S1VQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 390pF @300VVds

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

TK6Q60W,S1VQ引脚图与封装图

在线购买TK6Q60W,S1VQ

型号： TK6Q60W,S1VQ

描述：MOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12NC