TPS1100D和TPS1100DRG4

对比图

型号 TPS1100D TPS1100DRG4 TPS1100DR

描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - 1 1

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 791 mW 791 mW 0.791 W

漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 15 V

连续漏极电流(Ids) -1.60 A 1.6A 1.6A

上升时间 10 ns 10 ns 10 ns

额定功率(Max) 791 mW 791 mW 791 mW

下降时间 2 ns 10 ns 2 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 791mW (Ta) - 791mW (Ta)

漏源极电阻 0.18 Ω 180 mΩ -

漏源击穿电压 - 15 V -

额定电压(DC) -15.0 V - -

额定电流 -1.60 A - -

输出电压 -15.0 V - -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.91 mm

高度 - 1.75 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

香港进出口证 NLR - -