TEXAS INSTRUMENTS UCC27324P 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, DIP-8
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
欧时:
### MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
立创商城:
低边 MOSFET 灌:4A 拉:4A
德州仪器TI:
Non-inverting 4-A/4-A dual-channel low side gate driver
贸泽:
Gate Drivers Dual 4 A Peak High Speed Low-Side
e络盟:
MOSFET驱动器双路, 低压侧反相, 4V-15V电源, 4A峰值输出, 30 Ohm输出, DIP-8
艾睿:
Driver 4.5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
安富利:
MOSFET DRVR 4.5A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Chip1Stop:
Driver 4.5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Verical:
Driver 4.5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS UCC27324P MOSFET Driver Dual, Low Side Inverting, 4V-15V supply, 4A peak out, 30 Ohm output, DIP-8
Win Source:
IC MOSFET DRVR DUAL HS 4A 8-DIP
电源电压DC 15.0V max
上升/下降时间 20ns, 15ns
输出接口数 2
输出电压 300 mV
输出电流 4 A
通道数 2
针脚数 8
耗散功率 780 mW
上升时间 23 ns
输出电压Max 450 mV
输出电流Max 4.5 A
下降时间 23 ns
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 40 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 780 mW
电源电压 4.5V ~ 15V
电源电压Max 15 V
电源电压Min 4 V
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
长度 9.81 mm
宽度 6.35 mm
高度 4.57 mm
封装 DIP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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