MC33152DR2G和UCC27324P

对比图

型号 MC33152DR2G UCC27324P MC33152DR2

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC33152DR2G  MOSFET Driver, 6.1V-18V supply, SOIC-8 新TEXAS INSTRUMENTS  UCC27324P  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, DIP-8高速双MOSFET驱动器 HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 18.0V (max) 15.0V (max) 18.0V (max)

上升/下降时间 36ns, 32ns 20ns, 15ns 36ns, 32ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - 300 mV -

输出电流 - 4 A -

通道数 - 2 -

针脚数 8 8 -

耗散功率 0.56 W 780 mW 560 mW

上升时间 36 ns 23 ns 36 ns

输出电压(Max) - 450 mV -

输出电流(Max) 1.5 A 4.5 A -

下降时间 32 ns 23 ns 32 ns

下降时间(Max) - 40 ns -

上升时间(Max) - 40 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 560 mW 780 mW -

电源电压 6.1V ~ 18V 4.5V ~ 15V 6.1V ~ 18V

电源电压(Max) 18 V 15 V -

电源电压(Min) 6.1 V 4 V 6.5 V

工作电压 6.1V ~ 18V - -

无卤素状态 Halogen Free - -

长度 5 mm 9.81 mm -

宽度 4 mm 6.35 mm -

高度 1.5 mm 4.57 mm -

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99