TC427EOA和UCC27324P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TC427EOA UCC27324P TC4426EOA

描述 TC426/427/428 MOSFET 驱动器Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。### 特点高速切换 (CL = 1000 pF):30 ns 高峰值输出电流:1.5A 高输出电压摆幅:VDD -25 mV,GND +25 mV 低输入电流(逻辑“0”或“1”):1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置:TC426 - 反相,TC427 - 同相,TC428 - 反相/同相 工作电源电压:4.5V 至 18V 电流消耗:输入低 0.4 mA,输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗:6 Ω 防闩锁:耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护:2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,MicrochipTEXAS INSTRUMENTS  UCC27324P  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, DIP-8MICROCHIP  TC4426EOA  双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.50V (min) 15.0V (max) 4.50V (min)

工作电压 4.5V ~ 18V - 4.5V ~ 18V

上升/下降时间 30 ns 20ns, 15ns 19 ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 1.5 A 4 A 1.5 A

供电电流 8.00 mA - 4.50 mA

通道数 2 2 2

耗散功率 470 mW 780 mW 0.47 W

下降时间(Max) 30 ns 40 ns 30 ns

上升时间(Max) 30 ns 40 ns 30 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 470 mW 780 mW 470 mW

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 15V 4.5V ~ 18V

输出电压 - 300 mV 18.0 V

针脚数 - 8 8

上升时间 - 23 ns 40ns (Max)

输出电压(Max) - 450 mV -

输出电流(Max) - 4.5 A -

下降时间 - 23 ns 40ns (Max)

电源电压(Max) - 15 V 18 V

电源电压(Min) - 4 V 4.5 V

长度 4.9 mm 9.81 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 6.35 mm 3.91 mm

高度 1.42 mm 4.57 mm 1.42 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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