UF2840G参数规格_中文资料_数据手册PDF

UF2840G概述

射频MOSFET功率晶体管， 4OW ， 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 4OW, 28V 100 - 500 MHz

RF Mosfet N 通道 28 V 500 mA 100MHz ~ 500MHz 10dB 40W

得捷:
MOSFET 40W 28V 100-500MHZ

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 4A 5-Pin

UF2840G中文资料参数规格

技术参数

频率 100MHz ~ 500MHz

耗散功率 116 W

输出功率 40 W

增益 10 dB

测试电流 500 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 116000 mW

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 5

封装 319-07

外形尺寸

封装 319-07

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UF2840G

型号： UF2840G

制造商： M/A-Com

描述：射频MOSFET功率晶体管， 4OW ， 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 4OW, 28V 100 - 500 MHz

替代型号UF2840G