对比图
型号 VND1NV0413TR VND1NV04TR-E VND1NV04-E
描述 “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsVN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 开关电源FET驱动器电源管理
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
输出接口数 1 1 1
输出电流 - 1.7 A 1.7 A
供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA
耗散功率 35000 mW 35 W 35 W
上升时间 - 500 ns 500 ns
输出电流(Max) 1.7 A 1.7 A 1.7 A
输出电流(Min) - 1.7 A 1.7 A
输入数 1 1 1
下降时间 - 600 ns 600 ns
耗散功率(Max) 35000 mW 35000 mW 35000 mW
额定功率 - 35 W -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 250 mΩ 0.25 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 - 2.5 V -
漏源极电压(Vds) - 55 V -
漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V -
连续漏极电流(Ids) 1.70 A 500 mA -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99