VNB14NV04-E

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VNB14NV04-E概述

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹

### 智能电源开关,STMicroelectronics


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK


欧时:
STMicroelectronics VNB14NV04-E/1输出 电源开关, 3引脚 D2PAK封装


立创商城:
VNB14NV04 E


贸泽:
门驱动器 N-CH 42V 14A ONMIFET


e络盟:
电源负载分配开关, 低压侧, 40 V输入, 18 A, 0.035 ohm, 1输出, TO-263-3


艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 24A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


安富利:
Power Switch Lo Side 12A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


富昌:
D2PAK


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 24A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Win Source:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK / Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 12A D2PAK


VNB14NV04-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 18 A

供电电流 0.1 mA

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

漏源击穿电压 42.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 350 ns

输出电流Max 12 A

输出电流Min 12 A

输入数 1

下降时间 150 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 74000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VNB14NV04-E引脚图与封装图
VNB14NV04-E引脚图
VNB14NV04-E封装图
VNB14NV04-E封装焊盘图
在线购买VNB14NV04-E
型号: VNB14NV04-E
描述:OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics
替代型号VNB14NV04-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNB14NV04-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

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