VNB14NV04-E和VNB14NV04TR-E

对比图

型号 VNB14NV04-E VNB14NV04TR-E VNB14NV04

描述 OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsVNB14NV04 单通道 低边 自保护 45 V 24 A 35 mOhm 功率MOSFET - D2PAK“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 18 A 24 A -

供电电流 0.1 mA 0.1 mA -

针脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 74 W 74 W 74.0 W

漏源击穿电压 42.0 V 42.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 12.0 A

上升时间 350 ns 30 µs -

输出电流(Max) 12 A 12 A 12 A

输出电流(Min) 12 A 12 A -

输入数 1 1 1

下降时间 150 ns 30 µs -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 74000 mW 74000 mW 74000 mW

漏源极电阻 - - 35.0 mΩ

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.4 mm - -

宽度 9.35 mm - -

高度 4.6 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99