对比图
型号 VNB14NV04 VNB14NV04-E VNB14NV04TR-E
描述 “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsVNB14NV04 单通道 低边 自保护 45 V 24 A 35 mOhm 功率MOSFET - D2PAK
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
输出接口数 1 1 1
输出电流 - 18 A 24 A
供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA
针脚数 - 3 3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 74.0 W 74 W 74 W
漏源击穿电压 40.0 V 42.0 V 42.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 14.0 A 14.0 A
上升时间 - 350 ns 30 µs
输出电流(Max) 12 A 12 A 12 A
输出电流(Min) - 12 A 12 A
输入数 1 1 1
下降时间 - 150 ns 30 µs
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 74000 mW 74000 mW 74000 mW
漏源极电阻 35.0 mΩ - -
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 9.35 mm -
高度 - 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99