VN2010L

VN2010L中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 10.0 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 800 mW

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 190 mA

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买VN2010L
型号: VN2010L
制造商: Vishay Siliconix
描述:N-Channel 200V D-S MOSFETs
替代型号VN2010L
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