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ZXMHC6A07N8中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.8A/1.42A

封装参数

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： ZXMHC6A07N8

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOS场效应管/ZXMHC6A07N8