VISHAY SI2309CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -60 V, 285 mohm, -10 V, -1 V
The is a P-Channel 60V Power MOSFET with ±20V gate source voltage. It works on TrenchFET® power MOSFET technology.
欧时:
### P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
SI2309CDS Series P-Channel 60 V 0.345 Ohm Power MosFet Surface Mount - SOT-23-3
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# VISHAY SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -1.6 A, -60 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.36 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.7 W
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 210pF @30VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Signal Processing, 信号处理, 音频, Audio
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99