STU16N60M2

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STU16N60M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。


立创商城:
N沟道 600V 12A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A IPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STU16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package


艾睿:
Compared to traditional transistors, STU16N60M2 power MOSFETs, developed by STMicroelectronics, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with mdmesh m2 technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Win Source:
Extremely low gate charge | MOSFET N-CH 600V 12A IPAK


STU16N60M2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.32 Ω

极性 N-CH

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 700pF @100VVds

下降时间 18.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买STU16N60M2
型号: STU16N60M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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