SI7621DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7621DN-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

表面贴装型 P 通道 4A（Tc） 3.1W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8

得捷:
MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8

SI7621DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 12.5W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 300pF @10VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7621DN-T1-GE3

型号： SI7621DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

替代型号SI7621DN-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7621DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI7621DN-T1-GE3和SI7615ADN-T1-GE3的区别

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Vishay Siliconix

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SI7615ADN-T1-GE3

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功能相似