JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion
JFET N 通道 25 V 310 mW 通孔 TO-92（TO-226）
得捷:
JFET N-CH 25V TO92
贸泽:
JFET 25V 10mA
艾睿:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-92 Box
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-92 Box
额定电压DC 25.0 V
额定电流 10 mA
击穿电压 -25.0 V
漏源极电阻 2.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
输入电容 7 pF
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
栅源击穿电压 25 V
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 135 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 135℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5458G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5458 安森美 | 类似代替 | 2N5458G和2N5458的区别 |